Inspektion von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
Solarzellen und Solarmodule weisen eine Reihe von unsichtbaren Defekten auf, welche die Ausgangsleistung und die Langzeitstabilität vermindern.Die hochempfindlichen Inspektionssysteme von greateyes machen diese Defekte sichtbar. Dadurch läßt sich die Produktion effizienter gestalten, die Ausgangsleistung erhöhen und die Gesamtkosten der Herstellung reduzieren.
Elektrolumineszenz Durch die elektrischen Kontakte wird der Solarzelle oder dem Solarmodul Strom zugefügt. Die Solarzelle oder -modul emittiert unsichtbare Elektrolumineszenzstrahlung, welche von einer hochsensiblen Kamera detektiert wird. |
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Photolumineszenz Die Solarzelle oder der Wafer wird von einer intensiven Lichtquelle angeregt. Keine elektrischen Verbindungen sind notwendig. Die Solarzelle oder der Wafer emittiert unsichtbare Photolumineszenzstrahlung, welche von einer hochsensiblen Kamera detektiert wird |
Vorteile der Elektrolumineszenz (EL) und Photolumineszenz (PL) Inspektion
- EL und PL sind zerstörungsfreie Methoden
- Messungen liefern detaillierte Informationen über die Größe der Defekte und ihre Lage
- EL und PL bieten einen hohen Informationgehalt, viele Typen von Defekten können klar identifiziert werden
- Schnnelle Messung auf der zweiten Zeitachse
- EL kann genutzt werden, um sowohl kleine Zellen als auch große Flächen aus mono-Si, poly-Si, a-Si, micro-Si, CIGS, CIS, CdTe zu untersuchen
- Methode kann in den Produktionsprozess integriert werden (in-line)
- EL und PL sind auch für Forschung und Entwicklung von neuen Photovoltikgeräten sehr gut geeignet
Unterschiede zwischen Elektrolumineszenz (EL) und Photolumineszenz (PL) Inspektion
Electrolumineszenz | Photolumineszenz | |
Anforderungen | Elektrische Konakte sind notwendig | Keine elektrischen Kontakte notwendig |
Substrate | Solarzellen, Strings, Module | Wafer, Solarzellen, as-cut Wafer |
Materialien | mono-Si, poly-Si, a-Si, micro-Si, CIGS, CIS, CdTe | mono-Si, poly-Si, a-Si, micro-Si, CIGS |
Belichtungszeiten | 0.2 - 1 sec für mono-Si, poly-Si | 0.2 - 2 sec für mono-Si, poly-Si |
Informationswert | Micro-cracks, Shunts, Fingerdefekte, Depositionsprobleme Kantendefekte ... | Micro-cracks, Inhomogenitäten, Verunreinigungen, Dislokationen |
Ausgewählte Referenzen:
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